RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
44
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
8.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
2307
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link