RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
47
Rund um -2% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
11.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
10.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2182
2469
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FHD-CH9 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link