RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
47
Rund um -74% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
14.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
3040
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
OCZ OCZ2P11502G 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link