RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
48
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
13.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1911
2852
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link