RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
33
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
12.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1911
3135
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link