RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
41
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
13.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1911
3073
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link