RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
54
Rund um -135% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
10.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2763
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link