RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
54
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2966
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link