RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
54
Rund um -93% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
3209
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link