RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
63
Rund um -110% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.1
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
15.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1945
3636
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link