RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
48
Rund um 44% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
8.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
1858
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link