RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
6.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
42
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
11.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
6.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
1218
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link