RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
73
Rund um -115% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
11.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
2917
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link