RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
12
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
73
Rund um -204% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.6
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
12.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
6.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
1433
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link