RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
66
69
Rund um -5% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
13.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
2429
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link