RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
20.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
69
Rund um -283% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.0
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
20.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
17.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
3668
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link