RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Jinyu 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Jinyu 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Jinyu 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Jinyu 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
69
Rund um -229% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Jinyu 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
12.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
3209
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Jinyu 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link