RAM-Vergleich Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB vs Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB vs Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Gesamtnote

Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

66 72

Rund um 8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

4 4

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

1,938.7 1,906.1

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

703 677

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns