RAM-Vergleich Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Gesamtnote

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 3

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

1,702.6 1,592.0

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

65 68

Rund um -5% geringere Latenzzeit

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 667 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

654 572

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns