RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
64
Rund um -106% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
1,869.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,477.7
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,869.1
11.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
697
2918
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link