RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB vs Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
61
Rund um -74% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
1,903.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
61
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,668.9
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,903.1
9.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
735
2583
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link