RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
50
Rund um -61% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
11.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2512
3179
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link