RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Gesamtnote
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
35
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
15.1
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2767
3723
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link