RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB vs A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
66
Rund um 30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
13.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2660
2429
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link