RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB vs Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
38
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
9.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3075
2404
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link