RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
38
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
3041
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link