RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
38
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2903
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link