RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
38
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.9
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2579
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Transcend Information JM1333KLN-4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link