RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
72
Rund um 47% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
72
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
1918
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link