RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
43
Rund um -105% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.2
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.8
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
19.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
18.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2034
4119
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link