RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
45
Rund um -105% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
3051
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link