RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
45
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
10.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
2942
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link