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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
70
Rund um 36% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
70
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
1934
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
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