RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
45
Rund um -96% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
3169
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link