RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
46
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
11.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2072
2940
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB RAM-Vergleiche
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link