RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
46
Rund um -53% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
13.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2072
3014
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link