RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
47
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
13.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
10.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
2757
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link