RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
47
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
3036
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link