RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
45
Rund um -25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
2416
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link