RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
45
Rund um -55% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
13.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
3401
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8GX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link