RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
45
Rund um -61% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
3344
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB RAM-Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link