RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
45
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
13.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
3055
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link