RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
48
Rund um -182% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.0
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
22.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
17.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
3731
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link