RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
48
Rund um -153% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.9
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
22.2
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
21.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
22.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
4574
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Inmos + 256MB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link