RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
47
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
11.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
8.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1413
2281
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link