RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
47
Rund um -96% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
12.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1413
2946
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link