RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
47
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.1
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
10600
Rund um 2.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
16.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
23400
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1413
3758
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link