RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
40
Rund um -60% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
15.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
3729
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
A-DATA Technology HY64C1C1624ZY 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link