RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
40
Rund um -54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
14.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
3204
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link