RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
40
Rund um -54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
14.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
3204
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link