RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
51
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
14.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
2874
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link